YbxGa1–xSb (0≤ x ≤0.05) SİSTEM ƏRİNTİLƏRİNDƏ ELEKTRİKKEÇİRMƏNİN VƏ NERNS–ETTENQSXANZEN EFFEKTİNİN ÖYRƏNİLMƏSİ
YbxGa1–xSb (0≤x≤0.05) sistem ərintilərində bərk məhlul sahəsi aşkar edilmişdir. GaSb əsasında YbSb həll olmasından alınan bərk məhlul nümunələrində otaq temperaturunda (300 K) və geniş temperatur intervalında (100–1000 K) elektrikkeçirmə ölçülmüşdür. Yükdaşıyıcıların səpilmə mexanizmini təyin etmək üçün Nerns–Ettenqsxanzen effekti ölçülmüşdür. Tədqiq edilən nümunələrdə zəif maqnit sahəsində əsasən düsturu ilə təyin olunur. r <1 və ya r >1 olanda (200–250) К-də ionların aşqarlardan səpilməsi, ~550 K-də isə yük daşıyıcıların səpilməsi istilik qəfəs rəqslərindən baş verir.
Açar sözlər : elektrikkeçirmə, sistem ərintiləri, səpilmə mexanizmi, bərk məhlul
Məqaləyə baxın