3D МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Y2O2S В КВАЗИТРОЙНОЙ СИСТЕМЕ Y2O2S–Eu2O2S–Ga2S3
Получено уравнение для расчета и моделирования поверхности кристаллизации Y2O2S в квазитройной системе Y2O2S–Eu2O2S–Ga2S3 в температурном интервале 1200–2400 К. Уравнение включает аналитические выражения кривых ликвидуса Y2O2S для квазибинарных граничных систем Y2O2S–Ga2S3, Y2O2S–Eu2O2S и функцию, определенную по ограниченному количеству экспериментальных данных ДТА для тройной системы. Уравнение позволило моделировать поверхность кристаллизации Y2O2S в виде зависимости температуры ликвидуса от состава с помощью программы grafikus.ru/plot3d.
Ключевые слова : поверхность кристаллизации, квазибинарные и квазитройные си-стемы, ликвидус, 3D моделирование
Просмотр статьи