Проведено исследование твердого раствора на  основе GaSb в сплавах системы Yb_xGa_1-xSb (0≤ x ≤ 0.05) при температуре Т = 300 К, а также в широком температурном интервале (100–1000) К. Для определения механизма рассеивания носителя тока измерен эффект Нернца–Эттенгсханзена в изучаемом образце. Сла­бые магнитные поля  определены из формулы .  Если r <1 или r >1, то можно предположить, что рассеивание носителя тока при температурах (200–250) К происходит от леги­ро­ванных ионов, а при  более высокой температуре  (~550 K) – от решеточных тепловых колебаний.