ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ЭФФЕКТ НЕРНЦА–ЭТТЕНГСХАНЗЕНА СПЛАВОВ СИСТЕМЫ YbхGa1–хSb (0≤ x ≤0.05)
Проведено исследование твердого раствора на основе GaSb в сплавах системы YbxGa1-xSb (0≤ x ≤ 0.05) при температуре Т = 300 К, а также в широком температурном интервале (100–1000) К. Для определения механизма рассеивания носителя тока измерен эффект Нернца–Эттенгсханзена в изучаемом образце. Слабые магнитные поля определены из формулы . Если r <1 или r >1, то можно предположить, что рассеивание носителя тока при температурах (200–250) К происходит от легированных ионов, а при более высокой температуре (~550 K) – от решеточных тепловых колебаний.
Ключевые слова : электропроводность, сплавы системы, механизм рассеивания, твердый раствор
Просмотр статьи