Результаты исследования квазибинарных  и неквазибинарных политермических разрезов в квазитройной системе Y₂O₂S-Ga₂S₃-Tb₂O₂S показывают установившуюся проекцию поверхности ликвидуса, где характер химического взаимодействия относительно проcт. Таким образом, стороны квазитройной системы Ga₂S₃-Y₂O₂S и Ga₂S₃-Tb₂O₂S на основе обоих компонентов представляют собой квазибинарные эвтектические системы с ограниченной растворимостью. На стороне Y₂O₂S – Tb₂O₂S образуется сплошная область твердого раствора. Следовательно, в квазитройной системе Y₂O₂S-Ga₂S₃-Tb₂O₂S кристаллизация заканчивается не в нонвариантной тройной точке, а в низкотемпературной бинарной нонвариантной точке (где e₁ - бинарная эвтектика)

doi.org/10.32737/0005-2531-2023-1-55-63