Fiziki-kimyəvi analizin kompleks metodları: diferensial-termiki analizi (DTA), rentgenfaza analizi (RFA), mikrostruktur analizi (MQA), həmçinin mikrosərtlik və sıxlığın təyinin vasitəsilə GaSe-SrSe sistemində kimyəvi qarşılıqlı təsir öyrənilmiş və onun T-x faza diaqramı qurulmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, sistemin faza diaqramı kvazibinar evtektik tiplidir və SrGaSe₂ birləşməsinin əmələ gəlməsi ilə xarakterizə olunur. SrGaSe₂ birləşməsi  M+SrSe↔ SrGaSe₂ peritektik reaksiyası nəticəsində 1010°C temperaturda əmələ gəlir. SrSe və SrGaSe₂ birləşmələrinin birgə kristallaşması ikili evtektika nöqtədə başa çatır, tərkibi 15 mol % SrSe, temperatur 920°C. GaSe-SrSe sistemində otaq temperaturunda GaSe əsasında 4,5 mol % SrSe, bərk məhlul əmələ gəldiyi halda  SrSe birləşməsinə əsasında isə həllolma 2,5 mol % GaSe təşkil edir. Tərkibində olan nümunələrin rentgen difraksiya analizi 4,5; 25, 50 və 80 mol % SrSe tərkibli ərintilərin rentgenfaza analizi aparılmış  və  ikin komponentlərin renrgen difraktoqramları ilə müqayisə edilmişdir. Nəticədə müəyyən edilmişdir ki, 4,5 mol % SrSe-nin difraksiya sxemində difraksiya xətləri GaSe birləşməsinin difraksiya xətlərinə bənzəyir; onlar yalnız müstəvilərarası məsafələrinə görə bir qədər fərqlənirlər. Rentgen difraksiya analizinin nəticələrinə əsasən müəyyən edilmişdir ki, SrGaSe₂  birləşməsi tetraqonal sinqoniyada kristallaşır, qəfəs parametrləri: a = 6,85; c=10,01 Å-dir. (GaSe)_1-х(SrSe)_х (x=0,02; 0,04) bərk məhlul ərintilərinin elektrik keçiriciliyinin və termo-EHQ-nin tərkibindən və temperaturdan asılılığı öyrənilmişdir.

doi.org/10.32737/0005-2531-2026-2-50-57